shallow trench isolation半導体
Shallowtrenchisolation(STI),alsoknownasboxisolationtechnique,isanintegratedcircuitfeaturewhichpreventselectriccurrentleakage,1.STI.SideshareEnglishversion;ShallowTrenchIsolation;其shallow是相對LOCOS來說;為元件(nFET/pFET)之間絕緣結構;步驟.(1)前置...
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（ShallowTrenchIsolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。
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Shallow trench isolation
Shallow trench isolation (STI), also known as box isolation technique, is an integrated circuit feature which prevents electric current leakage
**半導體製程學習筆記**
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何謂STI? - WU MIN SHIN
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